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J-GLOBAL ID:200903082333739803
研磨剤および研磨方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999111484
Publication number (International publication number):2000306869
Application date: Apr. 19, 1999
Publication date: Nov. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、極めて平坦性の高い半導体基板表面を生産性良く研磨できる研磨剤と研磨方法を提供する。【解決手段】 BET法によって測定した比表面積が20m2/g以上、80m2/g未満のシリカを0.1〜20重量%、シュウ酸を0〜1重量%、酸化剤を0〜10重量%含み、残部が水よりなる、金属膜、バリア膜及び絶縁膜の研磨速度を任意に変え得る研磨剤である。
Claim (excerpt):
BET法によって測定した比表面積が20m2/g以上、80m2/g未満のシリカを0.1〜20重量%、シュウ酸を0〜1重量%、酸化剤を0〜10重量%含み、残部が水よりなることを特徴とする研磨剤。
IPC (5):
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
FI (5):
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
F-Term (6):
3C058AA07
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
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硬脆材料用の表面精密研磨剤
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Application number:特願平3-156791
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半導体装置の製造方法
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Application number:特願平7-326776
Applicant:松下電器産業株式会社
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Application number:特願平8-141656
Applicant:日本電気株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-119404
Applicant:キャボットコーポレイション
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Application number:特願平9-181491
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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埋め込み配線の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-013777
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体素子内の異なる導電層を研磨する方法
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Application number:特願平10-093962
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー
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Application number:特願平9-338809
Applicant:キャボットコーポレイション
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埋め込み金属配線の形成方法
Gazette classification:公開公報
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Application number:特願平10-342106
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金属配線形成方法
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Applicant:日本電気株式会社
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特許第4083342号
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