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J-GLOBAL ID：200903083810692519

光酸発生剤化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
小林 知洋

About 小林 知洋

, 
大澤 洋一

About 大澤 洋一


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 奥山 尚一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002369145
Publication number (International publication number)：2003261529
Application date： Dec. 20, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 300nm以下の高エネルギー線に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく、かつ熱安定性、保存安定性に優れる酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 ベース樹脂と酸発生剤と溶剤とを含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料において、該酸発生剤が、フッ素基含有アルキルイミド酸を発生することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料、及び該レジスト材料を基盤上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法を提供する。
Claim (excerpt)：
一般式(1)で示される光酸発生化合物。【化1】(R1は炭素数2〜8のアルキレン基であり、R2は単結合、酸素原子、窒素原子又は炭素数1〜4のアルキレン基である。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜10のアリール基であり、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のフッ素化されたアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数1〜4のフッ素化されたアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、フッ素原子、フェニル基、置換フェニル基、アセチル基、又はベンゾイルオキシ基で置換されていても良い。Rf1、Rf2はどちらか一方又は両方が少なくとも一個以上のフッ素原子を含む炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、又はアリール基を含んでいてもよく、Rf1又はRf2のどちらか一方のみが少なくとも一個以上のフッ素原子を含む炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である場合には、他方は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、又はアリール基を含んでいてもよい。Rf1とRf2は結合して環を形成しても良い。)
IPC (6)：
C07C311/48 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (6)：
C07C311/48 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (18)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C023JA05 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (8)
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