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J-GLOBAL ID：200903084894425746

半導体レーザ素子

Inventor：
斉藤 肇

About 斉藤 肇

, 
松本 晃広

About 松本 晃広


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038588
Publication number (International publication number)：1998294534
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高出力動作時においても、素子特性が劣化せず、十分な寿命を得るとともに低雑音特性を維持することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板101上に、n-Al0.5Ga0.5Asクラッド層102、ノンドープ量子井戸活性層103、p-Al0.5Ga0.5As第1クラッド層104、p-Al0.2Ga0.8As光ガイド層105、p-Al0.14Ga0.86Asエッチングストッパ層106、p-Al0.5Ga0.5As第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108を順次積層成長させ、p-AlGaAs第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108をリッジ形状に加工し、n-Al0.7Ga0.3As電流阻止層109をリッジ部両側面を埋め込むように形成し、p-GaAsコンタクト層110を積層し、最後にオーミック電極を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、下クラッド層、活性層、第1上クラッド層、光ガイド層、エッチングストッパ層及び第2上クラッド層を含む複数の半導体層が形成され、該第2上クラッド層にストライプ状の開口を有する電流狭窄部が形成された半導体レーザ素子において、該光ガイド層は、該エッチングストッパ層と該活性層との間に配置され、該光ガイド層のバンドギャップは、該第1上クラッド層のバンドギャップより小さく、かつ該エッチングストッパ層のバンドギャップより大きく、該エッチングストッパ層又は該光ガイド層と該エッチングストッパ層の積層構造が、発振レーザ光に対して可飽和吸収効果を有する半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125
FI (2)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 自励発振型半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-161925   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038561   Applicant：三洋電機株式会社
  • 自励発振型半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-049366   Applicant：三洋電機株式会社
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