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J-GLOBAL ID:200903086036395793

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999066948
Publication number (International publication number):2000031349
Application date: Mar. 12, 1999
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 保護キャップを有する半導体加速度センサにおいて、ダイシングカット時の研削水の侵入による問題などをなくした構成とする。【解決手段】 半導体チップ1に形成された梁構造体1aを保護する保護キャップとして耐熱性樹脂シート2を用い、この耐熱性樹脂シート2を耐熱性接着剤3によって半導体チップ1の上に接着した構成とする。耐熱性樹脂シート2としてはポリイミド基材を用い、耐熱性粘着剤3としてはシリコーン粘着剤を用いる。このように耐熱性樹脂シート2を耐熱性粘着剤3によって半導体チップ1上に接着することによって、ダイシングカット時に研削水の侵入といった問題が回避された構造とすることができる。
Claim (excerpt):
半導体にて構成された構造体(1a)を有し、表面に外部と電気接続するためのパッド(1b)が形成された半導体チップ(1)と、前記パッド(1b)を露出させるための開口部(20b、20e)を有し、前記構造体(1a)を覆うように前記半導体チップの上に耐熱性接着剤(3)によって接着された耐熱性樹脂シート(2、2’)とを備え、前記開口部(20b、20e)によって露出されている前記パッド(1b)が、ワイヤ(4)によってボンディングされており、前記耐熱性樹脂シート(2、2’)および前記耐熱性接着剤(3)が、前記ボンディングを行うときの熱処理温度以上の耐熱性を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/08 ,  H01L 21/60 301
FI (5):
H01L 23/30 D ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/08 Z ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/30 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (4)
  • 小型電子部品
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-176728   Applicant:株式会社村田製作所
  • 半導体センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-004457   Applicant:三菱電機株式会社
  • 加速度センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-300718   Applicant:富士電機株式会社
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