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J-GLOBAL ID：200903087641495690

電子デバイスおよびそれを用いた電子機器

Inventor： 竹内 孝之 ,  原田 健史 ,  奥澤 智宏 ,  神戸 宣明 ,  寺尾 潤
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (2)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004334875
Publication number (International publication number)：2006147785
Application date： Nov. 18, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】 特別な製造方法を用いることなく簡易なプロセスで形成可能であり、キャリア移動度または導電性が高い有機分子層を備える電子デバイスおよびそれを用いた電子機器を提供する。 【解決手段】 導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。その末端基は第2の共役π電子系を構成し、主鎖に直交する方向における第2の共役π電子系の広がりが、主鎖に直交する方向における第1の共役π電子系の広がりよりも大きい。そして、その末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない。【選択図】 図15

Claim (excerpt)：

導電性の有機分子層を備える電子デバイスであって、 前記有機分子層が、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、前記主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含み、 前記末端基は第2の共役π電子系を構成し、 前記主鎖に直交する方向における前記第2の共役π電子系の広がりが、前記主鎖に直交する方向における前記第1の共役π電子系の広がりよりも大きく、 前記末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 51/05 ,  G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5)：

H01L29/28 ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/04 C

F-Term (37)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA43 ,  5C094AA60 ,  5C094BA02 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EB05 ,  5C094FB01 ,  5C094HA08 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344021   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-241078   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-184860   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

• トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-369218   Applicant：シャープ株式会社
• π共役系高分子構造体およびこれを用いた電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-064538   Applicant：株式会社日立製作所
• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-547243   Applicant：アベシア・リミテッド
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-277118   Applicant：コニカ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• An ambipolar organic field-effect transistor using oligothiophene incorporated with two [60]fulleren
• Functional oligothiophenes as advanced molecular electronic materials
• Porphyrin-Oligothiophene-Fullerene Triads as an Efficient Intramolecular Electron-Transfer System