• A
  • A
  • A
日本語 Help
Science and technology information site for articles, patents, researchers information, etc.
Pat
J-GLOBAL ID:200903088746646135

電界効果トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008000470
Publication number (International publication number):2009164339
Application date: Jan. 07, 2008
Publication date: Jul. 23, 2009
Summary:
【課題】 電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とすること。【解決手段】 本電界効果トランジスタ30は、GaN系エピタキシャル基板32の電子走行層上に、ゲート電極38を挟んで所定の間隔を隔てて配されたソース電極34及びドレイン電極36を備え、ゲート電極38の上部に、ドレイン電極36側に庇状に突き出したフィールドプレート40が形成され、ソース電極34及びドレイン電極36がオーミック接触するエピタキシャル基板32の電子走行層とフィールドプレート40との間に、誘電体膜46が形成され、誘電体膜46は、フィールドプレート40の直下領域においてフィールドプレート終端面と面一状態で切れ込み50が形成されその下端からドレイン電極36にオーバーラップするようにドレイン電極36に向かって延びる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板の表面層上に、ゲート電極を挟んで所定の間隔を隔てて配置されたソース電極及びドレイン電極を備えている電界効果トランジスタであって、 前記ゲート電極の上部に、前記ドレイン電極側に庇状に突き出したフィールドプレートが形成され、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極がオーミック接触する前記半導体基板の表面層と前記フィールドプレートとの間に、誘電体膜が形成され、 前記誘電体膜は、前記フィールドプレートの直下領域において当該フィールドプレートの終端面と面一状態となるように切れ込み且つ当該切れ込みの下端から前記ドレイン電極に接続するように当該ドレイン電極に向かって延びていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3):
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06
FI (3):
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 L ,  H01L29/06 301F
F-Term (26):
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GS08 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page