半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003371328
Publication number (International publication number)：2004048076
Application date： Oct. 30, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】良好な結晶性を有する素子構成層を備え、特性の優れた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板上1に窒化物半導体からなる素子構成層20を備える半導体素子であって、前記基板1上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された第1バッファ層2Aと、単結晶成長温度で形成され、第1バッファ層2Aに接するGa及びInを含まない第2バッファ層2Bとをこの順に備え、前記素子構成層20が、前記第2バッファ層2A上に形成されていることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体からなる素子構成層を備える半導体素子であって、前記基板上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された多層膜からなる第1バッファ層と、単結晶成長温度で形成され、前記第1バッファ層に接するGa及びInを含まない窒化物からなる層を有する第2バッファ層とをこの順に備え、前記素子構成層が、前記第2バッファ層上に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L33/00 , H01L21/205

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L21/205

F-Term (22)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA66 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA57

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平2-81482号
発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199778 Applicant：日立電線株式会社
GaN層および緩衝層の成長法およびその構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-092337 Applicant：財団法人工業技術研究院

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Cited by examiner (1)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-300996 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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