GaN層および緩衝層の成長法およびその構造

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998092337
Publication number (International publication number)：1999298039
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】高品質かつ低欠陥のGaN層を成長させる。【解決手段】第1の方法では、複数の緩衝層と複数のGaN層とを交互に成長させ、第2の方法では、基板の上に電子移動度の大きい緩衝層を2層連続して成長させてからGaN単結晶の層を成長させる。本発明では、n型及びp型GaN材料を得ることができる。

Claim (excerpt)：

(1)サファイアの基板を洗浄し、(2)前記サファイアの基板上にAlGaN材料からなる第1の緩衝層を成長させ、(3)前記第1の緩衝層上に第1のGaN層を成長させ、(4)前記第1のGaN層上にAlGaN材料からなる第2の緩衝層を成長させ、(5)前記第2の緩衝層上に第2のGaN層を成長させる、という段階からなることを特徴とするサファイアの基板上にGaNの成長法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227679 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025852 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-107834 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page