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J-GLOBAL ID：200903091205478559

シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材

Inventor：
羽賀 浩一

About 羽賀 浩一


Applicant, Patent owner：
株式会社 東北テクノアーチ

About 株式会社 東北テクノアーチ


Agent (1)： 重信 和男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001219280
Publication number (International publication number)：2003031846
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 シリコン基板上に、受発光素子に適した酸化亜鉛半導体部材を形成する。【解決手段】 シリコン基板110の表面は数十Åの自然酸化膜120に覆われている。最初の工程では、これを10%に純水で希釈したフッ酸(HF)を用いて除去した(工程(1))。酸化膜を除去したSi基板110の表面は、水素原子で被覆されている。スパッタリングによりZnO薄膜堆積を行う工程(2)では、大きなプラズマ・エネルギーが加えられている。このエネルギーにより、水素を低温で解離させるとともに、シリコンと酸化亜鉛との格子間隔の差を緩和させて、非晶質と微結晶が混在した薄膜のバッファ層130を形成する。次に、工程(3)として、このバッファ層130を種結晶として、その上部にMO-CVD法により高品質のZnO薄膜140を成長させる。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン面基板上に形成された酸化亜鉛薄膜において、該酸化亜鉛薄膜表面の結晶配向性がウルツ鉱構造c軸配向面を示し、前記酸化亜鉛薄膜にHe-Cdレーザー(325nm)を照射した際のフォトルミネッセンス・スペクトルが387nmを中心とした禁制帯幅近傍で発光することを特徴とするシリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10
FI (5)：
H01L 33/00 D ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A
F-Term (39)：
4K030AA11 ,  4K030BA47 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DP16 ,  5F045HA01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049NA10 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103PP01 ,  5F103PP15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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