薄膜形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001385584
Publication number (International publication number)：2003188171
Application date： Dec. 19, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】原子層蒸着法(ALD法)において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】オゾンを含有する酸化性ガスによってシリコン基板を酸化する第1工程と、シリコン基板の酸化表面を水酸基化した後にトリメチルアルミニウム等の第1反応物を吸着させる第2工程と、H2O等の第2反応物を導入し、酸化表面上の第1反応物の残基と反応させることによって、SiO2等の酸化膜上にAl2O3等の高誘電率の薄膜を形成する第3工程とを含む薄膜形成方法。

Claim (excerpt)：

オゾンを含有する酸化性ガスによって基体を酸化する第1工程と、前記基体の酸化表面に第1反応物を吸着させる第2工程と、第2反応物を導入し、前記酸化表面上の前記第1反応物の残基と反応させる第3工程とを含む薄膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 29/78 301 G , H01L 27/04 C

F-Term (40)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA10 , 4K030BA11 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 5F038AC03 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BE03 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (15)

半導体装置とその製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-197844 Applicant：株式会社日立製作所
酸化物薄膜の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-377102 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置を形成する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-529752 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド

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金属酸化物薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051604 Applicant：株式会社トクヤマ
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-312121 Applicant：株式会社東芝
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-307849 Applicant：三星電子株式会社

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