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J-GLOBAL ID：200903091681527762

電子装置及び電気器具

Inventor：
山内 幸夫

About 山内 幸夫

, 
福永 健司

About 福永 健司


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000124078
Publication number (International publication number)：2001013893
Application date： Apr. 25, 2000
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。【解決手段】 画素内に形成されるスイッチング用TFT201のLDD領域15a〜15dは、ゲート電極19a、19bに重ならないように形成され、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。また、電流制御用TFT202のLDD領域33は、ゲート電極35に一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。このように、求める機能に応じて適切なTFT構造とし、動作性能及び信頼性を高める。
Claim (excerpt)：
第1のTFT、第2のTFT及び前記第2のTFTに接続されたEL素子を一画素内に有する電子装置において、前記第1のTFTのLDD領域は、該第1のTFTのゲート電極にゲート絶縁膜を挟んで重ならないように形成され、前記第2のTFTのLDD領域は、該第2のTFTのゲート電極にゲート絶縁膜を挟んで一部若しくは全部が重なるように形成されていることを特徴とする電子装置。
IPC (5)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/14
FI (5)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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