微細構造作製方法及び装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005055976
Publication number (International publication number)：2006239787
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】被加工基板に微細な立体構造を形成する際、フォトリソグラフィー工程等を必要とせず、FIBの照射によるスパッタリング手法よりも高能率であり、基板材料の再付着による形状精度の劣化が無く、任意の形状、高さの微細構造物を製作可能な方法を得る。【解決手段】S1では形成すべき凹部の深さに応じてFIBのドーズ量、加速電圧を調整しながら単結晶シリコン(100)面にFIBを照射する。S2ではアセトン、純水を用いた超音波洗浄を行う。S3では単結晶シリコン基板を23°C程度のHF水溶液に浸漬して超音波振動を加えてエッチングし、確認のためにS4でAFMにより形成された構造を観測すると、FIB照射を行った基板表面に高さ数nm程度の凸状の隆起が生じている。この基板をエッチングすると非照射部はエッチングされないのに対して、照射部はエッチングされ、照射条件によって高さの異なる段差が形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

照射条件の異なる集束イオンビームを被加工基板上に照射し、湿式エッチングにより照射部を選択的にエッチングする微細構造形成において、被加工基板上に集束イオンビーム照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成することを特徴とする被加工基板の湿式エッチング方法。

IPC (4)：

B81C 1/00 , B23K 15/00 , G02B 5/18 , H01L 21/306

FI (4)：

B81C1/00 , B23K15/00 508 , G02B5/18 , H01L21/306 T

F-Term (13)：

2H049AA31 , 2H049AA37 , 2H049AA44 , 4E066AA02 , 4E066BA13 , 4E066BB01 , 4E066CA15 , 5F043AA02 , 5F043BB04 , 5F043DD17 , 5F043FF01 , 5F043FF05 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

グレイスケールマスク作製法とそれを用いた3次元微細加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-201852 Applicant：学校法人慶應義塾

Cited by examiner (11)

特開昭60-128622
特開平2-191326
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-282896 Applicant：ソニー株式会社

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