フォトマスクの設計方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997267346
Publication number (International publication number)：1998326007
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】露光条件に合った解像容易度をシンプルな方法で求めることができ、レベンソン型位相シフトマスクにおいて解像性の高いシフタ配置を実現する。【解決手段】入射光を遮る遮光膜の一部に入射光を透過させる複数の開口パターンを形成し、これらのパターンの一部に位相シフタを設けたレベンソン型のフォトマスクを設計する方法において、パターンを線分に分解した線分毎に、距離R以内で隣接する異なるパターンの線分ペアを抽出し、着目している線分のペア11が対向する対向領域12の中間ポイント13より線分と垂直方向に距離S以内で交わるパターンを得、得られたパターンに対しプロセスシミュレーションを行い、隣合うパターンの解像の容易さである解像容易度を求め、距離R以内で隣接するパターンのペアについて求めた解像容易度を基に、解像の難しい順から優先的に位相差を与えるように位相シフタを配置する。

Claim (excerpt)：

入射光を遮る遮光膜の一部に入射光を透過させる複数の開口パターンを形成し、これらのパターンの一部に該パターンを透過する入射光に対して位相差を与える位相シフタを設けたフォトマスクを設計する方法において、パターンを線分に分解した線分毎に、距離R以内で隣接する異なるパターンに属する線分との線分ペアを抽出し、各々の線分ペア毎に線分が対向する対向領域の中間位置より線分と垂直方向に距離S以内で交わるパターンを得、得られたパターンに対しプロセスシミュレーション,実験,又はこれらの組み合わせを用いて、隣合うパターンの解像の容易さである解像容易度を求め、線分ペアについて求めた解像容易度を基に、隣接するパターンのペアに対して解像の難しい順から優先的に位相差を与えるように位相シフタを配置することを特徴とするフォトマスクの設計方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

位相シフタ自動配置方法及びそれを用いた位相シフタ自動配置装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-095771 Applicant：株式会社日立製作所
位相シフトマスク及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-055878 Applicant：ソニー株式会社
半導体製造用フォトマスク設計方法及びシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-061446 Applicant：株式会社東芝

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