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J-GLOBAL ID：200903095546381540

透明酸化物半導体薄膜トランジスタ

Inventor：
カルシア,ピーター・フランシス

About カルシア,ピーター・フランシス

, 
マクリーン,ロバート・エス

About マクリーン,ロバート・エス


Applicant, Patent owner：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

About イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー


Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004543769
Publication number (International publication number)：2006502589
Application date： Oct. 10, 2003
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：
本発明は、新規な透明酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)およびその製造方法に関する。
Claim (excerpt)：
a)不活性ガスと混合された酸素の有効分圧でのアンドープTOSの物理蒸着と、 b)酸素の有効分圧でのアンドープTOSの抵抗蒸発と、 c)酸素の有効分圧でのアンドープTOSのレーザー蒸発と、 d)酸素の有効分圧でのアンドープT-OSの電子ビーム蒸発と、 e)酸素の有効分圧でのアンドープT-OSの化学蒸着と よりなる群から選択される方法を含んでなる、電界効果トランジスタにおいて、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫および酸化カドミウムよりなる群から選択されるアンドープ透明酸化物半導体を付着する方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  C23C14/08 C ,  H01L29/78 618A
F-Term (33)：
4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029HA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
  • 米国特許第4204217号明細書
Cited by examiner (12)
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