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J-GLOBAL ID：200903095571974807

誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに積層セラミックコンデンサ

Inventor：
井上 徳之

About 井上 徳之

, 
佐野 晴信

About 佐野 晴信


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005016090
Publication number (International publication number)：2006199563
Application date： Jan. 24, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】 高電界下での電歪が小さく、かつ誘電率が高く温度特性が良好な誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ABO3(AはBaを含み、BはTiを含む)で表され、かつ希土類元素Rを含むペロブスカイト構造からなる固溶体を主相粒子とし、前記主相粒子が、2つの領域、すなわち前記希土類元素の濃度が高い第1領域と前記希土類元素の濃度が低い第2の領域から構成される誘電体セラミックにおいて、 前記誘電体セラミックの任意の断面を観察したとき、前記第2の領域の直径の分布におけるD90値が0.25μm未満であることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
ABO3(AはBaを含み、BはTiを含む)で表され、かつ希土類元素Rを含むペロブスカイト構造からなる固溶体を主相粒子とし、前記主相粒子が、2つの領域、すなわち前記希土類元素の濃度が高い第1の領域と前記希土類元素の濃度が低い第2の領域から構成される誘電体セラミックにおいて、 前記誘電体セラミックの断面を観察したとき、前記第2の領域の直径の分布におけるD90値が0.25μm未満であることを特徴とする、誘電体セラミック。
IPC (4)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (4)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E
F-Term (39)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082PP03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (12)
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