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J-GLOBAL ID：200903096905166606

窒化物系半導体発光素子

Inventor：
小出 典克

About 小出 典克


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001190483
Publication number (International publication number)：2003008059
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 成長温度を下げてp型半導体膜を活性層の上に成長させても、p型半導体膜に十分なキャリア濃度が得られ、高輝度の発光特性を有する。【解決手段】 Mgをドーピングすることによりp型の導電型とされたAlxGayInzN(x+y+z=1)からなるキャリアブロック層5におけるInの比率zを、0.015以上、Gaの比率yを、0.50以上、Alの比率xとInの比率zとの関係x/zを、0.84/0.16以上にしたため、低温条件にて、キャリアブロック層を成長しても、高いホール濃度を得ることができ、また、高温条件による活性層4への熱的な損傷を防止することができるため、発光効率の高い半導体発光素子を得ることができる。
Claim (excerpt)：
活性層の上に、Mgをドーピングすることによりp型の導電性とされたAlxGayInzN(x+y+z=1)からなるキャリアブロック層が積層された窒化物系半導体発光素子であって、前記キャリアブロック層におけるInの比率zが、0.015以上、Gaの比率yが、0.50以上、Alの比率xとInの比率zとの関係x/zが、0.84/0.16以上になっていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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