窒素化合物半導体膜構造及び窒素化合物半導体素子並びにそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999251160
Publication number (International publication number)：2001057463
Application date： Sep. 06, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】窒素化合物半導体膜の結晶欠陥を低減し、寿命が長く、閾値電流密度が低く、多重モードの発生しない半導体レーザ素子を得る。【解決手段】窒素化合物半導体膜103上に成長抑制膜105を部分的に設けて、Alを含む窒素化合物半導体膜を成長させる。Alを含む窒素化合物半導体は高温で科学的に安定であり、GaNに比べて横方向成長が起こり易く、転位をより低減して平坦な表面の膜108が得られる。半導体レーザ素子のクラッド層に導入することで、電流狭窄やリーク光を吸収または反射して多重モードを抑制することができる。または、光伝搬層の有効屈折率を制御して高率良く光を閉じ込めることができる。

Claim (excerpt)：

第1の窒素化合物半導体膜と、該第1の窒素化合物半導体膜上に部分的に設けられ、窒素化合物半導体がその直上にエピタキシャル成長するのを抑制する成長抑制膜と、該成長抑制膜が設けられていない該第1の窒素化合物半導体膜部分上および該成長抑制膜上にわたって設けられた第2の窒素化合物半導体膜とを備え、該第2の窒素化合物半導体膜がAlを含む材料からなる窒素化合物半導体膜構造。

IPC (3)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (44)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073EA23 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-335851 Applicant：ソニー株式会社
GaN系結晶成長用基板およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-005682 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322133 Applicant：豊田合成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Selective growth of wurtzite GaN and AlxGa1-x N on GaN/

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