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J-GLOBAL ID:200903098081294637

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001178539
Publication number (International publication number):2002373945
Application date: Jun. 13, 2001
Publication date: Dec. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 リーク電流を減少させ、かつ容量値を増加させることのできる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 上部電極3および下部電極1は、TiN,Ti,W,WN,Pt,Ir,Ruの金属もしくは金属窒化物中から選ばれる少なくとも1つの材料から成り、容量絶縁膜2は、原子層成長(Atomic Layer Deposition:以下、ALDという)法により形成したZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB></SB><SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料から成る。
Claim (excerpt):
ZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料を容量絶縁膜としたMIM(Metal-Insulator-Metal)構造の容量を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (5):
H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/04 C
F-Term (34):
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF20 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F083AD21 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA15 ,  5F083KA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
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