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J-GLOBAL ID：200903098081294637

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
飯塚 敏洋

About 飯塚 敏洋

, 
山本 朝恵

About 山本 朝恵

, 
戸田 麻美

About 戸田 麻美

, 
山道 新太郎

About 山道 新太郎


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001178539
Publication number (International publication number)：2002373945
Application date： Jun. 13, 2001
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 リーク電流を減少させ、かつ容量値を増加させることのできる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 上部電極3および下部電極1は、TiN,Ti,W,WN,Pt,Ir,Ruの金属もしくは金属窒化物中から選ばれる少なくとも1つの材料から成り、容量絶縁膜2は、原子層成長(Atomic Layer Deposition:以下、ALDという)法により形成したZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB></SB><SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料から成る。
Claim (excerpt)：
ZrO<SB>2 </SB>、HfO<SB>2 </SB>、(Zr<SB>x </SB>,Hf<SB>1-x </SB>)O<SB>2 </SB>(0<x<1)、(Zr<SB>y </SB>,Ti<SB>1-y </SB>)O<SB>2 </SB>(0<y<1)、(Hf<SB>z </SB>,Ti<SB>1-z </SB>)O<SB>2 </SB>(0<z<1)あるいは(Zr<SB>k </SB>,Ti<SB>l </SB>,Hf<SB>m </SB>)O<SB>2 </SB>(0<k,l,m<1かつk+l+m=1)の少なくとも1つから選ばれる材料を容量絶縁膜としたMIM(Metal-Insulator-Metal)構造の容量を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (5)：
H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/04 C
F-Term (34)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF20 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F083AD21 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA15 ,  5F083KA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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