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J-GLOBAL ID：200903098642211035

薄膜ガスセンサ

Inventor：
国原 健二

About 国原 健二

, 
小野寺 克己

About 小野寺 克己

, 
鈴木 卓弥

About 鈴木 卓弥

, 
荻野 慎次

About 荻野 慎次


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000304901
Publication number (International publication number)：2002116171
Application date： Oct. 04, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 長期間のパルス駆動にも抵抗変化が少なく、信頼性の高い薄膜ガスセンサの提供。【解決手段】 薄膜ガスセンサの貴金属薄膜ヒータ3を、Ta,Cr,Ti等のうちの少なくとも1つの元素を主成分として含む薄膜層を介して下地絶縁層および被覆絶縁層と接合する構造(薄膜ヒータをTa,Cr,Tiなどの薄膜層でサンドイッチし、さらにそれを下地絶縁層と被覆絶縁層とでサンドイッチした構造)とすることにより、密着性を向上させ、ヒータ断線の少ない実用的な薄膜ガスセンサを提供する。
Claim (excerpt)：
Si基板の一側面中央部がダイアフラム様にくり抜かれた基板面上に、熱酸化SiO2 膜,CVD-SiO2 膜,窒化Si膜を含む支持膜を介して薄膜ヒータを形成し、SiO2 を含む電気絶縁膜を介してPtを含むガス感知膜電極を形成し、その上にSnO2 を含む感知膜を形成した薄膜ガスセンサにおいて、前記薄膜ヒータがTa,Cr,Tiの内の少なくとも1つの元素を主成分として含む薄膜層を介して、下地絶縁層および被覆絶縁層と接合する構造にしたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
FI (2)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 A
F-Term (24)：
2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046DA05 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DD01 ,  2G046EB06 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
  • 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220866   Applicant：エルジー電子株式会社
  • ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-160400   Applicant：株式会社トクヤマ, フィガロ技研株式会社
  • 特開昭63-223551
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Cited by examiner (16)
  • 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220866   Applicant：エルジー電子株式会社
  • ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-160400   Applicant：株式会社トクヤマ, フィガロ技研株式会社
  • 特開昭63-223551
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