Pat
J-GLOBAL ID：200903098852357873

フォトレジストレリーフイメージの形成方法

Inventor：
エドワード・ケイ・パベルチェク

About エドワード・ケイ・パベルチェク

, 
ティモシー・ジー・アダムズ

About ティモシー・ジー・アダムズ

, 
マニュエル・ドカント

About マニュエル・ドカント

, 
スザンヌ・コーリー

About スザンヌ・コーリー

, 
ジョージ・ジー・バークレー

About ジョージ・ジー・バークレー


Applicant, Patent owner：
シップレーカンパニー エル エル シー

About シップレーカンパニー エル エル シー


Agent (1)： 千田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000063610
Publication number (International publication number)：2000294504
Application date： Mar. 08, 2000
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ディープUV用途を含む、特に、平坦化被覆層が要求される場合に有用である反射防止被覆組成物として使用することができる新規な光吸収組成物を提供する。【解決手段】 トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、(a)約8、000以下の分子量を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、(b)該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および(c)活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、ことを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
Claim (excerpt)：
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、(a)約8、000以下の分子量を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、(b)該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および(c)活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、ことを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
IPC (7)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/3445 ,  C08L 33/06 ,  C08L 61/20 ,  C08L101/12
FI (8)：
H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 503 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/3445 ,  C08L 33/06 ,  C08L 61/20 ,  C08L101/12 ,  H01L 21/30 578
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM