薄膜集積回路装置、ICラベル、薄膜集積回路が搭載された容器、それらの作製方法、及び当該容器を有する商品の管理方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004048421
Publication number (International publication number)：2004282050
Application date： Feb. 24, 2004
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】シリコンウェハからなる集積回路は厚いため商品容器自体に搭載する場合、表面に凹凸が生じ、デザイン性が低下してしまった。そこで本発明では非常に膜厚の薄い薄膜集積回路、及び薄膜集積回路を有する薄膜集積回路装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜集積回路は、従来のシリコンウェハにより形成される集積回路と異なり、半導体膜を能動領域(例えば薄膜トランジスタであればチャネル形成領域)として備えることを特徴とする。本発明の薄膜集積回路は非常に薄いため、カードや容器等の商品へ搭載してもデザイン性を損ねることがない。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜を能動領域として有する薄膜集積回路を含むことを特徴とする薄膜集積回路装置。

IPC (7)：

H01L27/12 , B65D25/20 , G06K19/07 , G06K19/077 , G09F3/00 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (11)：

H01L27/12 B , H01L27/12 Z , B65D25/20 P , G09F3/00 M , G09F3/00 Q , H01L29/78 626C , G06K19/00 H , G06K19/00 K , H01L29/78 627D , H01L29/78 619A , H01L29/78 613Z

F-Term (42)：

2C005MA19 , 2C005MA33 , 2C005MB10 , 2C005NA08 , 2C005NA36 , 2C005PA03 , 2C005PA14 , 2C005PA18 , 2C005PA21 , 2C005PA27 , 3E062BA20 , 3E062DA08 , 5B035BA03 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5F110AA04 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ06 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

商品管理方法とそのシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-021591 Applicant：株式会社オプトロム

Cited by examiner (14)

アクティブマトリクス基板及びその製造方法、素子形成基板、中間転写基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179214 Applicant：株式会社東芝
特開昭61-206304
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-234293 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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