光導波膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997024028
Publication number (International publication number)：1998221557
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】優れた作業性と速い成膜速度で光導波膜を形成することができ、高熱処理が不要な光導波膜形成方法を提供する。【解決手段】酸素ガス、有機シリコン化合物ガスおよび有機金属ガスが真空容器30内に導入され、プラズマ発生用高周波電源54により高周波電力がコイル50に印加されると、これらのガスは誘導結合高周波プラズマとなって反応し、その結果、基板12上に、有機金属ガスに含まれる金属元素がドープされたシリコン酸化物が光導波膜として形成される。

Claim (excerpt)：

基板が置かれた真空容器内に酸素ガス、有機シリコン化合物ガスおよび有機金属ガスを導入し、前記真空容器内で前記酸素ガス、前記有機シリコン化合物ガスおよび前記有機金属ガスを誘導結合高周波プラズマ状態として反応させ、前記有機金属ガスに含まれる金属元素がドープされたシリコン酸化物を光導波膜として前記基板上に形成する、ことを特徴とする光導波膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

光導波路作製方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-062550 Applicant：東芝機械株式会社
光導波路チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086268 Applicant：株式会社サムコインターナショナル研究所
厚膜形成用プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086267 Applicant：株式会社サムコインターナショナル研究所

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Cited by examiner (5)

光導波路作製方法およびその装置
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