誘電体キャップ層

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009547410
Publication number (International publication number)：2010517307
Application date： Jan. 24, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

【課題】誘電体キャップ層(100)を提供する。【解決手段】 1つの実施例において、誘電体キャップ層(100)は、硬化処理の間の紫外線照射を実質的に遮断する光学的バンドギャップ(例えば、約3.0電子-ボルトよりも大きい)を有し、電子ドナー、二重結合電子を有する窒素を含む誘電体材料(108)を含む。誘電体キャップ層(100)は、高モジュラスを示し、そしてナノ電子デバイスに例えば銅及び低k誘電体を形成する後工程(BEOL)におけるUV光を使用する超低誘電率(ULK)材料のポストキュア処理のもとで安定であり、膜及びデバイスのクラックを減少し、そして信頼性を改善する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

硬化処理の間に紫外線を実質的に遮断する光学的バンドギャップと、電子ドナー、二重結合電子を有する窒素とを有する誘電体材料(108)からなる誘電体キャップ層(100)。

IPC (3)：

H01L 21/318 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (3)：

H01L21/318 B , H01L21/318 C , H01L21/90 K

F-Term (32)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030BA40 , 4K030FA03 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033QQ54 , 5F033RR01 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW07 , 5F033XX17 , 5F033XX28 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体集積回路装置及びそれの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-156332 Applicant：三星電子株式会社
特開昭61-065441
特開昭61-065441

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