Pat

J-GLOBAL ID：201003056449612975

磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 山ノ内 路彦 ,  高橋 宏昌 ,  早川 純
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008313679
Publication number (International publication number)：2010140973
Application date： Dec. 09, 2008
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：

【課題】スピントランスファートルク書き込み方式の不揮発性磁気メモリにおいて書き込み電流を増加させることなく、読み出しによる誤書込みを低減する。【解決手段】強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。読み出し動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び異方性磁界を大きくすることで読み出しによる誤書き込みを低減する。書き込み動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び磁化を小さくすることで書き込み電流を低減する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性記録層と強磁性固定層とを有し、 前記強磁性記録層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、 前記第二の強磁性膜はフェリ磁性体であり、 前記フェリ磁性体は、角運動量補償温度が読み出し動作時の温度近傍にあって書き込み動作時には前記角運動量補償温度より高温になり、 前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜の磁化は交換結合しており、 前記角運動量補償温度より高い温度において前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜の磁化方向が互いに逆方向であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/32

FI (5)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32

F-Term (36)：

4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5F092AA01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• 米国特許第5,695,864号明細書
  
• 米国特許第6,256,223号明細書
  
• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375089   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 酸化物層と電流誘導加熱を使用した熱アシスト磁気書込み
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-203671   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 磁性トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178747   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-529474   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 磁気抵抗効果素子、磁気センサー、再生ヘッド、複合ヘッド、磁気情報再生装置、磁気情報記録再生装置、および、磁気情報の再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-087694   Applicant：シャープ株式会社
• 書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-529477   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-060693   Applicant：株式会社東芝
• 磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-003750   Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (6)

• 磁性トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178747   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-529474   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 磁気抵抗効果素子、磁気センサー、再生ヘッド、複合ヘッド、磁気情報再生装置、磁気情報記録再生装置、および、磁気情報の再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-087694   Applicant：シャープ株式会社
• 書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-529477   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-060693   Applicant：株式会社東芝
• 磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-003750   Applicant：キヤノン株式会社