Pat
J-GLOBAL ID：200903024542947430

磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録方法

Inventor：
池田 貴司

About 池田 貴司


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001003750
Publication number (International publication number)：2002208681
Application date： Jan. 11, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】磁化反転磁界や磁化飽和磁界が大きな磁性体を用いても、安定した情報の記録および読み出しが可能な磁気薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】読み出し層である磁性層1および記録層である磁性層3〜6が非磁性層2を介して積層された磁気抵抗効果膜を有する磁気薄膜メモリ素子において、磁性層3〜6は、それぞれの磁性層のキュリー温度が、「磁性層5<磁性層3<磁性層4<磁性層6」の関係にあり、磁性層6の磁化方向が所定の方向に固定されており、記録温度の高低に応じて、磁性層3に1ビットの情報が記録可能である。
Claim (excerpt)：
読み出し層および記録層が非磁性層を介して積層された磁気抵抗効果膜を有する磁気薄膜メモリ素子において、前記記録層は、隣接する層間で互いに磁気的に交換結合される複数の磁性層が積層されており、記録温度の高低に応じて、前記非磁性層に隣接する磁性層の磁化方向が該記録層内で生じる交換結合力によって反転可能であり、該磁性層の磁化方向に応じて、前記読み出し層の磁化方向を反転させた際に生じる前記磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化が異なることを特徴とする磁気薄膜メモリ素子。
IPC (7)：
H01L 27/105 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08
FI (8)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R
F-Term (13)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM