Pat
J-GLOBAL ID：201103014629892022

光デバイスウエーハの加工方法

Inventor：
小柳 将

About 小柳 将

, 
森數 洋司

About 森數 洋司


Applicant, Patent owner：
株式会社ディスコ

About 株式会社ディスコ


Agent (2)： 松本 昂 ,  伊藤 憲二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010024541
Publication number (International publication number)：2011165766
Application date： Feb. 05, 2010
Publication date： Aug. 25, 2011
Summary：
【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインに対応する基板内部に位置づけるとともに該分割予定ラインに沿って照射して基板内部に変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、 該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインに対応する基板内部に位置づけるとともに該分割予定ラインに沿って照射して基板内部に変質層を形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、 該分割予定ラインに沿ってCO2レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、 を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
IPC (5)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/14
FI (6)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/14 Z
F-Term (8)：
4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CB06 ,  4E068CH08 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM