半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010223492
Publication number (International publication number)：2011129879
Application date： Oct. 01, 2010
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

【課題】高温領域において、膜中の不純物濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成する。【解決手段】基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気して所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して所定元素含有層を酸化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返して基板上に酸化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを基板に向けて供給することで、基板表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給し排気して、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、前記所定元素含有層を酸化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返して、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (4)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , H01L21/31 C , C23C16/455

F-Term (61)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE06 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH12 , 5F045EK06 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-101357 Applicant：株式会社日立国際電気
不連続な前駆体の吐出による金属酸化物等の堆積方法及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-504394 Applicant：アイクストロンアーゲー
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-181282 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Show all

Return to Previous Page