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J-GLOBAL ID：201103018297637576

液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器

Inventor： 山崎 舜平 ,  荒澤 亮 ,  小山 潤 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010229412
Publication number (International publication number)：2011141522
Application date： Oct. 12, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、 前記フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、 前記書き込み期間において、前記複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、前記保持期間において、前記複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、前記画像信号を保持させることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6)：

G09G 3/36 ,  G09G 3/20 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (10)：

G09G3/36 ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 621B ,  G09G3/20 641E ,  G09G3/20 611A ,  G09G3/20 611G ,  G02F1/133 550 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z

F-Term (158)：

2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA40 ,  2H092JB69 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092NA22 ,  2H193ZA04 ,  2H193ZA07 ,  2H193ZC03 ,  2H193ZC06 ,  2H193ZC12 ,  2H193ZC15 ,  2H193ZD02 ,  2H193ZD13 ,  2H193ZD16 ,  2H193ZE37 ,  2H193ZQ06 ,  2H193ZQ07 ,  2H193ZQ08 ,  2H193ZQ09 ,  2H193ZQ11 ,  2H193ZQ13 ,  2H193ZQ14 ,  2H193ZQ16 ,  2H193ZQ22 ,  2H193ZQ26 ,  5C006AA02 ,  5C006AA14 ,  5C006AC26 ,  5C006AF68 ,  5C006BB16 ,  5C006BC03 ,  5C006BC05 ,  5C006BC11 ,  5C006BC20 ,  5C006BF03 ,  5C006BF34 ,  5C006EB05 ,  5C006FA36 ,  5C006FA47 ,  5C006FA48 ,  5C006GA03 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080CC06 ,  5C080DD21 ,  5C080DD26 ,  5C080DD30 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080GG13 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK02 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (23)

• 液晶表示素子の駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-004192   Applicant：株式会社東芝
• 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-334502   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-334501   Applicant：出光興産株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028942   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-262991   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電気光学装置、並びに、電流制御用TFT基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-110543   Applicant：出光興産株式会社
• 薄膜デバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-217272   Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 表示装置の駆動方法および表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-350684   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体素子の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-056284   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平3-219287
  
• 電気光学表示装置およびその表示方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-309916   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置の駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-330373   Applicant：ソニー株式会社
• 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-131251   Applicant：シャープ株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024754   Applicant：株式会社東芝
• 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-329816   Applicant：シャープ株式会社
• 液晶表示装置の駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-170693   Applicant：日本電気株式会社
• 表示装置、携帯用電子機器および表示装置の駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-051706   Applicant：日本電気株式会社
• アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-226740   Applicant：シャープ株式会社
• 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-355776   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-076493   Applicant：富士フイルム株式会社
• 有機電界発光表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-068084   Applicant：富士フイルム株式会社
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221552   Applicant：キヤノン株式会社
• アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-143431   Applicant：キヤノン株式会社