Pat
J-GLOBAL ID：201103042991457044
微細構造体の製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010265093
Publication number (International publication number)：2011157622
Application date： Nov. 29, 2010
Publication date： Aug. 18, 2011
Summary：
【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、
前記第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、
該露出されたSi表面から前記Si基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、
前記凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、
前記凹部の底部に形成された前記第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、
前記Siの露出面より前記凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程と、を有することを特徴とする微細構造体の製造方法。
IPC (6)：
C25D 1/00
, G01N 23/04
, A61B 6/00
, C25D 5/02
, C25D 1/10
, B81C 1/00
C25D1/00 381
, G01N23/04
, A61B6/00 330Z
, C25D5/02 D
, C25D1/10
, B81C1/00
2G001AA01
, 2G001BA28
, 2G001CA01
, 2G001DA01
, 2G001DA09
, 2G001EA01
, 2G001EA20
, 2G001GA06
, 2G001HA01
, 2G001LA01
, 3C081AA01
, 3C081AA17
, 3C081BA09
, 3C081BA72
, 3C081CA02
, 3C081CA14
, 3C081CA30
, 3C081DA03
, 3C081EA00
, 4C093AA07
, 4C093CA01
, 4C093EB25
, 4C093EB30
, 4K024AA11
, 4K024AB01
, 4K024AB02
, 4K024AB15
, 4K024BA11
, 4K024BB28
, 4K024FA23
, 4K024GA16
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