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J-GLOBAL ID：201103056962854507

金属充填微細構造体の製造方法

Inventor：
山下 広祐

About 山下 広祐

, 
畠中 優介

About 畠中 優介

, 
堀田 吉則

About 堀田 吉則


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010067757
Publication number (International publication number)：2011202194
Application date： Mar. 24, 2010
Publication date： Oct. 13, 2011
Summary：
【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔101,102等の平均開孔径が10〜5000nmであり、平均深さが10〜1000μmであり、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が100%よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が20nm以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁性基材に設けられた貫通孔内部に金属が充填されてなる金属充填微細構造体を製造する金属充填微細構造体の製造方法であって、 前記絶縁性基材における、前記貫通孔の平均開孔径が10〜5000nmであり、前記貫通孔の平均深さが10〜1000μmであり、かつ、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2であり、 前記金属充填微細構造体の製造方法が、少なくとも、下記式で求められる前記貫通孔への金属の仮想充填率が100%よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、および、電解めっき処理によって前記絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の平均結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の平均結晶粒子径と、の差が20nm以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 貫通孔への金属の仮想充填率(%)=電解めっきによる金属析出量から求められる微細構造体における金属の仮想高さ(μm)/貫通孔の平均深さ(μm)×100
IPC (5)：
C25D 7/04 ,  C25D 7/00 ,  C25D 5/18 ,  H01R 11/01 ,  H01R 43/00
FI (5)：
C25D7/04 ,  C25D7/00 G ,  C25D5/18 ,  H01R11/01 501H ,  H01R43/00 H
F-Term (16)：
4K024AA01 ,  4K024AA03 ,  4K024AA04 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB19 ,  4K024BA11 ,  4K024BB09 ,  4K024BC04 ,  4K024BC07 ,  4K024CA08 ,  4K024DA08 ,  4K024DB07 ,  5E051CA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (10)
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