Pat

J-GLOBAL ID：200903052281977887

半導体装置の製造方法

Inventor： 鈴木 貴志 ,  北田 秀樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009216768
Publication number (International publication number)：2009302570
Application date： Sep. 18, 2009
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】めっき法を用いてCu配線20を形成する際、まず第1の電流密度の条件で第1の平均粒径を有する第1の金属膜を形成し、次いで、第1の電流密度よりも高い第2の電流密度の条件で第1の平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を有する第2の金属膜を形成する。その後、第1,第2の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第1,第2の金属膜上にキャップ膜を形成する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

金属配線を備える半導体装置の製造方法において、 絶縁膜に溝を形成する工程と、 前記溝にバリアメタルを形成する工程と、 めっき法を用いて、前記溝に第1の電流密度の条件で第1の平均粒径を有する第1の金属膜を形成し、次いで、前記溝に前記第1の電流密度よりも高い第2の電流密度の条件で前記第1の平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を有する第2の金属膜を形成する工程と、 前記溝に形成された前記第1,第2の金属膜の上部に所定元素を導入する工程と、 前記所定元素が導入された前記第1,第2の金属膜上にキャップ膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  C25D 7/12 ,  C25D 5/10

FI (7)：

H01L21/88 M ,  H01L21/88 N ,  H01L21/285 S ,  H01L21/288 E ,  H01L21/28 301R ,  C25D7/12 ,  C25D5/10

F-Term (68)：

4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024DA07 ,  4K024DA09 ,  4K030BA36 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB37 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD56 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD88 ,  4M104EE05 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK23 ,  5F033KK33 ,  5F033LL01 ,  5F033LL03 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ66 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033WW10 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 埋め込み配線構造の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-271803   Applicant：沖電気工業株式会社
• プリント配線板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-403139   Applicant：株式会社フジクラ
• 銅配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-375606   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-053321   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-114676   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 特許第6319831号
  
• めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-423419   Applicant：株式会社荏原製作所
• 微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-076820   Applicant：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-161874   Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所