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J-GLOBAL ID：201103067503329086

ネガ型パターン形成方法、これに用いられる組成物及びレジスト膜

Inventor：
榎本 雄一郎

About 榎本 雄一郎

, 
上村 聡

About 上村 聡

, 
樽谷 晋司

About 樽谷 晋司


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010112624
Publication number (International publication number)：2010286831
Application date： May. 14, 2010
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：
【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度(DOF)が広く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこれに用いるネガ型化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する【解決手段】(ア)架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、(A)ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含有しない樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)架橋剤、(D)溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いるネガ型化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(ア)架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程 を含むパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、 (A)ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含有しない樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (C)架橋剤、及び (D)溶剤 を含有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/10
FI (7)：
G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/10
F-Term (66)：
2H096BA06 ,  2H096GA03 ,  2H096GA18 ,  2H125AE03P ,  2H125AE04P ,  2H125AE06P ,  2H125AF17P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AM12P ,  2H125AM22P ,  2H125AM25P ,  2H125AM30P ,  2H125AM32P ,  2H125AM45P ,  2H125AM86P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN64P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA11 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03 ,  4J100AB00P ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL09S ,  4J100AR11P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11S ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC53S ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F046LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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