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J-GLOBAL ID：201103086661871194

パターン形成方法及びレジスト組成物並びにアセタール化合物

Inventor： 畠山 潤 ,  永田 岳志 ,  長谷川 幸士
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011058724
Publication number (International publication number)：2011221513
Application date： Mar. 17, 2011
Publication date： Nov. 04, 2011
Summary：

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。【効果】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/26

FI (6)：

G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/26

F-Term (116)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH01 ,  2H125AH03 ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH07 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ35Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ83Y ,  2H125AJ84Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM10N ,  2H125AM22N ,  2H125AM30N ,  2H125AM43N ,  2H125AM57N ,  2H125AM85N ,  2H125AM91N ,  2H125AM94N ,  2H125AM95N ,  2H125AM99N ,  2H125AN11N ,  2H125AN14P ,  2H125AN15P ,  2H125AN31N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN63N ,  2H125AN88P ,  2H125AP02N ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125DA03 ,  2H125FA01 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AB07R ,  4J100AE02Q ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA22P ,  4J100BB07R ,  4J100BB18R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07S ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC49P ,  4J100BC49R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC58P ,  4J100BC84Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA05 ,  4J100DA36 ,  4J100FA30 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• ポジ型レジスト組成物、樹脂および重合性化合物、それを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-040997   Applicant：富士フイルム株式会社
• ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-200248   Applicant：富士フイルム株式会社
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-203201   Applicant：東京応化工業株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-155322   Applicant：富士フイルム株式会社
• レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-063408   Applicant：富士フイルム株式会社
• レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-016422   Applicant：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-052758   Applicant：富士フイルム株式会社