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J-GLOBAL ID:201203069803043826

レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011016422
Publication number (International publication number):2012073565
Application date: Jan. 28, 2011
Publication date: Apr. 12, 2012
Summary:
【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記(A)として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を用いる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、 前記基材成分(A)として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (6):
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (6):
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28
F-Term (57):
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096HA01 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF33P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM99P ,  2H125AN02P ,  2H125AN21P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125BA01P ,  2H125BA08P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA22P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC84Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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