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J-GLOBAL ID：201103098186678390

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 生沼 学 ,  稲永 康隆 ,  谷村 泰宏 ,  渡辺 謙資 ,  花田 雅人
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  東芝三菱電機産業システム株式会社
Agent (7)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一 ,  吉田 潤一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010017253
Publication number (International publication number)：2011154973
Application date： Jan. 28, 2010
Publication date： Aug. 11, 2011
Summary：

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

内部に一対の電極を有する放電部が、内部に被処理材を設置する処理室に、複数の貫通孔を有する仕切り板を介して接続され、前記放電部に接続されたガス供給手段から前記放電部にガスが供給され、前記処理室に接続された真空ポンプにより前記処理室からガスが排気され、前記一対の電極に電圧が印加されて放電が生起され、前記放電により生じた活性粒子が前記処理室に供給されることで前記被処理材を処理するプラズマ処理装置であって、 前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、 前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、 前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、 前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、 前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/24 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/304

FI (5)：

H05H1/24 ,  H01L21/302 101E ,  H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/304 645C

F-Term (47)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC01 ,  5F004CA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB42 ,  5F157BG34 ,  5F157CE89 ,  5F157CF22 ,  5F157DB02 ,  5F157DB15 ,  5F157DB16 ,  5F157DB37 ,  5F157DB43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• ラジカル支援ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-359877   Applicant：アネルバ株式会社
• 常圧プラズマ発生用電極の製造方法及び電極構造とこれを利用した常圧プラズマの発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-224611   Applicant：ケー.シー.テックカンパニーリミテッド
• プラズマ処理装置、プラズマ生成用の反応器の製造方法、及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-155209   Applicant：松下電工株式会社
• 放電プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-117818   Applicant：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-012197   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-121692   Applicant：松下電工株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-305415   Applicant：株式会社東芝
• CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-157692   Applicant：アネルバ株式会社