プラズマ処理装置、プラズマ生成用の反応器の製造方法、及びプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004155209
Publication number (International publication number)：2005123159
Application date： May. 25, 2004
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】一端側の開口からプラズマ生成用ガスGが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスGが流出する複数の貫通孔2と、各貫通孔2内でそれぞれ放電を発生させるための電極3,4とが設けられた絶縁基材1からなる反応器Rを具備する。これにより、活性化されたプラズマ生成用ガスGのガス流を複数の貫通孔2から吹き出して被処理物5に供給し、大面積に亘って高効率で均一なプラズマを発生させるて、少ないガス流量で大面積に亘る被処理物5の表面処理を均一に行うことができる。また、絶縁基材1を適宜複数組み合わせて設けることで、被処理物5の変更に応じて容易に設計変更を行うことが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラズマ生成用ガスを放電により活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガスを被処理物に吹き付けるプラズマ処理装置において、一端側の開口からプラズマ生成用ガスが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスが流出する複数の貫通孔と、各貫通孔内でそれぞれ放電を発生させるための電極とが設けられた絶縁基材からなる反応器を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H1/24 , B08B7/00 , C23C16/515 , H01L21/304 , H01L21/3065

FI (5)：

H05H1/24 , B08B7/00 , C23C16/515 , H01L21/304 645C , H01L21/302 101E

F-Term (19)：

3B116AA02 , 3B116AB23 , 3B116BC01 , 4K030FA01 , 4K030JA09 , 4K030KA17 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004BA07 , 5F004BB13 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

表面処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-153709 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-358076号公報

Cited by examiner (15)

プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-363082 Applicant：田中栄
プラズマ表面処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-053635 Applicant：大倉工業株式会社
物質処理方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-218866 Applicant：日本碍子株式会社, 石井彰三

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