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J-GLOBAL ID:200903096775427780

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005121692
Publication number (International publication number):2006302624
Application date: Apr. 19, 2005
Publication date: Nov. 02, 2006
Summary:
【課題】 被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下でプラズマ生成用ガスGを放電により活性化させてプラズマPを生成する。このプラズマPを被処理物Sに吹き付けるプラズマ処理装置に関する。複数の貫通孔2を設けた絶縁基材1と、貫通孔2内に放電を発生させる放電電極3、4とを備える。貫通孔2の一端側開口をプラズマ生成用ガスGが流入する流入口2aとして形成すると共に貫通孔2の他端側開口をプラズマPが流出する流出口2bとして形成する。誘電体で被覆された帯電防止電極5を流出口2bの周辺に設けると共に帯電防止電極5を接地する。流出口2bから吹出されるプラズマP中の荷電粒子が、両極性拡散の原理で、帯電防止電極5を被覆している誘電体表面に移動し、誘電体表面で再結合することによって、吹き出されたプラズマP中の荷電粒子密度が大幅に減少する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
大気圧近傍の圧力下でプラズマ生成用ガスを放電により活性化させてプラズマを生成し、このプラズマを被処理物に吹き付けるプラズマ処理装置において、複数の貫通孔を設けた絶縁基材と、貫通孔内に放電を発生させる放電電極とを備え、貫通孔の一端側開口をプラズマ生成用ガスが流入する流入口として形成すると共に貫通孔の他端側開口をプラズマが流出する流出口として形成し、誘電体で被覆された帯電防止電極を流出口の周辺に設けると共に帯電防止電極を接地して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2):
H05H 1/24 ,  B08B 7/00
FI (2):
H05H1/24 ,  B08B7/00
F-Term (10):
3B116AA01 ,  3B116AA08 ,  3B116AB14 ,  3B116BC01 ,  4F073AA01 ,  4F073AA06 ,  4F073BA31 ,  4F073BB01 ,  4F073CA01 ,  4F073CA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (8)
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