基板からテンプレートを分離する際の応力の低減

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山川政樹 , 山川茂樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011532095
Publication number (International publication number)：2012506618
Application date： Oct. 20, 2009
Publication date： Mar. 15, 2012
Summary：

インプリント・リソグラフィプロセスにおいてインプリント・リソグラフィ・テンプレートとパターン層を分離することにより、テンプレートのフィーチャおよび/またはパターン層のフィーチャに対する応力が生じることがある。そのような応力は、空領域内のダミー・フィーチャを含むテンプレート上の空領域を最小にしおよび/またはテンプレート上にフィーチャを選択的に位置決めすることによって減少されてもよい。

Claim (excerpt)：

インプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、複数のクラスタを有し、各クラスタが、少なくとも1つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域が、約0.5〜3の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタが、長さを有する空領域によって分離され、前記長さの大きさが、約200ミクロン以下であるインプリント・リソグラフィ・テンプレート。

IPC (2)：

H01L 21/027 , B29C 59/02

FI (2)：

H01L21/30 502D , B29C59/02 B

F-Term (11)：

4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC05 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 5F146AA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

パターン転写用モールドおよび転写装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-055097 Applicant：キヤノン株式会社
転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-512749 Applicant：ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム
室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-566722 Applicant：ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Stamp design effect on 100 nm feature size for 8 inch NanoImprint lithography

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