非炭素流動性CVDプロセスを使用する酸化ケイ素の形成

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：園田吉隆 , 小林義教
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012523973
Publication number (International publication number)：2013501384
Application date： Aug. 06, 2010
Publication date： Jan. 10, 2013
Summary：

酸化ケイ素層を形成する方法が記載されている。この方法は、炭素を含まないケイ素および窒素含有前駆体とラジカル前駆体とを混合するステップと、ケイ素および窒素含有層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。次いで、ケイ素および窒素含有層は、酸化ケイ素層に変換される。

Claim (excerpt)：

炭素を含まないケイ素および窒素含有前駆体とラジカル前駆体とを混合することと、ケイ素および窒素含有層を基板上に堆積させることと、前記ケイ素および窒素含有層を前記酸化ケイ素層に変換することとを含む、酸化ケイ素層の形成方法。

IPC (1)：

H01L 21/316

FI (2)：

H01L21/316 C , H01L21/316 X

F-Term (13)：

5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF73 , 5F058BH03 , 5F058BH16 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

遠隔プラズマCVDによりジシラン前駆体から高品質シリコン酸化膜を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-272392 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-137995 Applicant：日本エー・エス・エム株式会社
基板上に酸化ケイ素層を形成する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2010-530178 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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