酸化亜鉛(ZnO)系単結晶ナノ構造体、ZnO系薄膜及びZnO系単結晶性薄膜の製造方法、並びにZnO系単結晶性薄膜及び該ZnO系単結晶性薄膜からなるZnO系材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清原義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012125420
Publication number (International publication number)：2013251411
Application date： May. 31, 2012
Publication date： Dec. 12, 2013
Summary：

【課題】(1)酸化亜鉛(ZnO)系単結晶ナノ構造体の形状を制御する方法、この形状制御技術から派生した(2)高配向ZnO系単結晶ナノ構造体の作製方法、更にこれら技術を用いた(3)ZnO系薄膜及びZnO系単結晶性薄膜の作製技術を提供する。【解決手段】基板上に酸化亜鉛(ZnO)系薄膜を形成する工程と、前記ZnO系薄膜を還元雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理工程により得られたZnO系単結晶ナノ構造体の形状制御工程と、を備え、前記形状制御工程が、前記熱処理工程により得られるZnO系単結晶ナノ構造体を、前記熱処理工程とは異なる雰囲気もしくは温度条件の下でさらに熱処理する工程を含む再熱処理工程、及び/又は化学気相成長法を用いることにより、前記熱処理工程により得られたZnO系単結晶ナノ構造体を再成長させる工程からなることを特徴とする酸化亜鉛(ZnO)系単結晶ナノ構造体の製造方法とする。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

基板上に酸化亜鉛(ZnO)系薄膜を形成する工程と、前記ZnO系薄膜を還元雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理工程により得られたZnO系単結晶ナノ構造体の形状制御工程と、を備え、前記形状制御工程が、前記熱処理工程により得られるZnO系単結晶ナノ構造体を、前記熱処理工程とは異なる雰囲気もしくは温度条件の下でさらに熱処理する工程を含む再熱処理工程、及び/又は化学気相成長法を用いることにより、前記熱処理工程により得られたZnO系単結晶ナノ構造体を再成長させる工程からなることを特徴とする酸化亜鉛(ZnO)系単結晶ナノ構造体の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/363 , C30B 29/66 , C30B 29/16 , C30B 25/20 , H01L 21/205 , C23C 16/40 , C23C 14/08

FI (7)：

H01L21/363 , C30B29/66 , C30B29/16 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/40 , C23C14/08 C

F-Term (61)：

4G077AA03 , 4G077AA04 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BB07 , 4G077DA11 , 4G077DB08 , 4G077EA01 , 4G077EA06 , 4G077EA07 , 4G077ED04 , 4G077EE01 , 4G077EF03 , 4G077HA01 , 4G077HA02 , 4G077HA05 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077HA20 , 4G077TA02 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC03 , 4G077TC04 , 4G077TC06 , 4G077TC09 , 4G077TC13 , 4G077TK08 , 4K029AA06 , 4K029AA08 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029CA05 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA47 , 4K030BB02 , 4K030CA06 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AA12 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB22 , 5F045AF03 , 5F045AF06 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F045HA16 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103PP03 , 5F103PP05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜及び成膜方法並びに該方法により得られる薄膜蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-169617 Applicant：公立大学法人高知工科大学
ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-245220 Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-219280 Applicant：株式会社東北テクノアーチ

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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