Si系クラスレートの製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011153635
Publication number (International publication number)：2013018679
Application date： Jul. 12, 2011
Publication date： Jan. 31, 2013
Summary：

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱し、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとGeとNaとからなる化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ge粉末は、Si粉末とGe粉末の総モル数に対する割合が1モル%以上20モル%以下となるように使用されることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Naを内包するII型のSi系クラスレートの製造方法であって、 Si粉末とGe粉末とNaとを混合して650°C以上の温度で加熱して、SiとGeとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、前記陽圧加熱処理工程によって生成されたSiとGeとNaとからなる前記化合物を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により2時間以上72時間以下加熱する陰圧加熱処理工程と、を備えていることを特徴とするII型のSi系クラスレートの製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/02

FI (1)：

C01B33/02 Z

F-Term (11)：

4G072AA50 , 4G072BB12 , 4G072BB13 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072JJ08 , 4G072JJ09 , 4G072LL03 , 4G072RR13 , 4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

クラスレート化合物薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147359 Applicant：日本電気株式会社
クラスレート化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-342101 Applicant：日本電気株式会社
クラスター及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-130158 Applicant：工業技術院長, 金山敏彦, 日本電気株式会社

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