半導体光素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：真田有 , 山本雅久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012201768
Publication number (International publication number)：2014056983
Application date： Sep. 13, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】コアレッセンスドットの発生を抑制し、効率を向上させる。【解決手段】半導体光素子を、GaAs又はAlGaAsを含む下地層1と、下地層上に形成され、臨界膜厚未満で、かつ、臨界膜厚近傍の膜厚を有するInxGa1-xAs(x≦1)濡れ層2と、InxGa1-xAs(x≦1)濡れ層上に形成されたInyGa1-yAs(y<1)量子ドット3とを備えるものとし、InxGa1-xAs(x≦1)濡れ層を、InyGa1-yAs(y<1)量子ドットよりもIn組成が高いものとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaAs又はAlGaAsを含む下地層と、前記下地層上に形成され、臨界膜厚未満で、かつ、臨界膜厚近傍の膜厚を有するInxGa1-xAs(x≦1)濡れ層と、前記InxGa1-xAs(x≦1)濡れ層上に形成されたInyGa1-yAs(y<1)量子ドットとを備え、前記InxGa1-xAs(x≦1)濡れ層は、前記InyGa1-yAs(y<1)量子ドットよりもIn組成が高いことを特徴とする半導体光素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (8)：

5F173AA08 , 5F173AF09 , 5F173AF12 , 5F173AF15 , 5F173AG20 , 5F173AH03 , 5F173AP09 , 5F173AR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体量子ドット素子の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-187085 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-141250 Applicant：富士通株式会社
半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-222730 Applicant：株式会社日立製作所

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