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J-GLOBAL ID:201403064422611707
アルキルシラン積層体及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 蛯谷 厚志
, 関根 宣夫
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2010123030
Publication number (International publication number):2011249666
Patent number:5534945
Application date: May. 28, 2010
Publication date: Dec. 08, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 表面に水酸基を有する下地層、及び前記下地層上に形成されているアルキルシラン薄膜を有する、アルキルシラン積層体であって、
前記アルキルシラン薄膜の臨界表面エネルギーEcとアルキルシランの炭素数xとが下記の式(1)を満たし:
Ec≦29.00-0.63x (mN/m) (1)
前記下地層の水酸基を有する表面が、高分子基板上に積層されたシリカ層によって提供されている、
アルキルシラン積層体。
IPC (4):
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
FI (6):
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 280
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
電子装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2004-559888
Applicant:プラスティックロジックリミテッド
-
太陽エネルギー利用装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-178359
Applicant:国立大学法人香川大学
-
有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-122623
Applicant:パイオニア株式会社
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