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J-GLOBAL ID:201403064422611707

アルキルシラン積層体及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  関根 宣夫
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2010123030
Publication number (International publication number):2011249666
Patent number:5534945
Application date: May. 28, 2010
Publication date: Dec. 08, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 表面に水酸基を有する下地層、及び前記下地層上に形成されているアルキルシラン薄膜を有する、アルキルシラン積層体であって、 前記アルキルシラン薄膜の臨界表面エネルギーEcとアルキルシランの炭素数xとが下記の式(1)を満たし: Ec≦29.00-0.63x (mN/m) (1) 前記下地層の水酸基を有する表面が、高分子基板上に積層されたシリカ層によって提供されている、 アルキルシラン積層体。
IPC (4):
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01)
FI (6):
H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 280
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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