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J-GLOBAL ID：201403064422611707

アルキルシラン積層体及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ

Inventor： 串田 尚 ,  内藤 裕義
Applicant, Patent owner： 帝人株式会社
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  関根 宣夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010123030
Publication number (International publication number)：2011249666
Patent number：5534945
Application date： May. 28, 2010
Publication date： Dec. 08, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 表面に水酸基を有する下地層、及び前記下地層上に形成されているアルキルシラン薄膜を有する、アルキルシラン積層体であって、 前記アルキルシラン薄膜の臨界表面エネルギーEcとアルキルシランの炭素数xとが下記の式(1)を満たし: Ec≦29.00-0.63x (mN/m) (1) 前記下地層の水酸基を有する表面が、高分子基板上に積層されたシリカ層によって提供されている、 アルキルシラン積層体。

IPC (4)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 280

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 電子装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-559888   Applicant：プラスティックロジックリミテッド
• 太陽エネルギー利用装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-178359   Applicant：国立大学法人香川大学
• 有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-122623   Applicant：パイオニア株式会社
• 自己組織化単分子膜の形成方法及び構造体、電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-248777   Applicant：凸版印刷株式会社, ザボードオブトラスティーズオブレランドスタンフォードジュニアユニバーシティ
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-034496   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 電子装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-230179   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-124292   Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (7)

• 電子装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-559888   Applicant：プラスティックロジックリミテッド
• 太陽エネルギー利用装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-178359   Applicant：国立大学法人香川大学
• 有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-122623   Applicant：パイオニア株式会社
• 自己組織化単分子膜の形成方法及び構造体、電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-248777   Applicant：凸版印刷株式会社, ザボードオブトラスティーズオブレランドスタンフォードジュニアユニバーシティ
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-034496   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 電子装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-230179   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-124292   Applicant：株式会社リコー