光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：伊東忠重 , 伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014203923
Publication number (International publication number)：2015099915
Application date： Oct. 02, 2014
Publication date： May. 28, 2015
Summary：

【課題】良好なpn接合が得られ、暗電流を低減でき、高S/N比が得られる可視光用の光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】光電変換素子10は、第1電極層2と、第1電極層2に積層されるp型半導体層3と、p型半導体層に積層されるn型半導体層4と、n型半導体層4に積層されるノンドープの酸化ガリウム層5と、ノンドープの酸化ガリウム層5に積層される第2電極層6とを具え、n型半導体層4は、酸素欠陥又は不純物注入によってキャリア濃度が増大された酸化ガリウム層で構成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極層と、前記第1電極層に積層されるp型半導体層と、前記p型半導体層に積層されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層されるノンドープの酸化ガリウム層と、前記ノンドープの酸化ガリウム層に積層される第2電極層とを具え、前記n型半導体層は、酸素欠陥又は不純物注入によってキャリア濃度が増大された酸化ガリウム層で構成される、光電変換素子。

IPC (1)：

H01L 31/107

FI (1)：

H01L31/10 B

F-Term (11)：

5F049MA03 , 5F049MA07 , 5F049MB01 , 5F049MB12 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049PA07 , 5F049QA03 , 5F049SE04 , 5F049SS01 , 5F049WA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-057481 Applicant：松下電器産業株式会社
スイッチング制御装置及びショットキーダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-080503 Applicant：株式会社光波, 独立行政法人物質・材料研究機構
紫外線センサ、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-038512 Applicant：日本軽金属株式会社, トーニック株式会社

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Cited by examiner (8)

太陽電池
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