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J-GLOBAL ID：201503092109333497

発光素子

Inventor： 田才 邦彦 ,  仲山 英次 ,  中山 雄介 ,  冨谷 茂隆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013239827
Publication number (International publication number)：2015099872
Application date： Nov. 20, 2013
Publication date： May. 28, 2015
Summary：

【課題】迷光の発生、信頼性の低下といった問題が生じ難い構成、構造の発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、第1化合物半導体層30、活性層52を含む第3化合物半導体層50及び第2化合物半導体層40が積層されて成り、光出射端面60及び光反射端面70を有する積層構造体20を備えており、光出射端面70は、少なくとも、第2化合物半導体層40の端面から構成された光出射端面第2領域62、及び、第3化合物半導体層50の端面から構成された光出射端面第3領域63を有しており、光出射端面60における仮想垂直面と光出射端面第2領域62との成す角度をθ2、光出射端面第3領域63との成す角度をθ3としたとき、0度≦|θ3|<|θ2|を満足する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層を含む第3化合物半導体層、及び、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が積層されて成り、光出射端面及び光反射端面を有する積層構造体を備えており、 光出射端面は、少なくとも、第2化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第2領域、及び、第3化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第3領域を有しており、 光出射端面における仮想垂直面と光出射端面第2領域との成す角度をθ2、光出射端面第3領域との成す角度をθ3としたとき、 0度≦|θ3|<|θ2| を満足する発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01S5/10 ,  H01S5/323 610

F-Term (19)：

5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AA44 ,  5F173AF28 ,  5F173AF33 ,  5F173AF35 ,  5F173AF40 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AL04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP83 ,  5F173AP84 ,  5F173AR52 ,  5F173AR82 ,  5F173AR96 ,  5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-093765   Applicant：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-002223   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-011117   Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 発光素子及び発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-316006   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体光部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-150963   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-067494   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-093765   Applicant：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-002223   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-011117   Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 発光素子及び発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-316006   Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar {20-21} free-standing GaN substrates"

Cited by examiner (1)

• "531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar {20-21} free-standing GaN substrates"