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J-GLOBAL ID：201603001794889730

薄膜積層構造体及び太陽電池

Inventor： 堀田 育志 ,  三宅 省三 ,  豊嶋 祐樹 ,  吉田 晴彦 ,  新船 幸二 ,  佐藤 真一
Applicant, Patent owner： 公立大学法人兵庫県立大学
Agent (4)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015035675
Publication number (International publication number)：2016157869
Application date： Feb. 25, 2015
Publication date： Sep. 01, 2016
Summary：

【課題】SiOx層と高誘電体層との複数の界面における界面双極子を蓄積した薄膜積層構造体を提供する。【解決手段】薄膜積層構造体は、第1のSiOx層と、第1のSiOx層の上に設けられた第1の高誘電体層と、第1の高誘電体層の上に設けられた第2の高誘電体層と、第2の高誘電体層の上に設けられた第2のSiOx層と、を備え、第1のSiOx層と第1の高誘電体層との界面において形成される第1の界面双極子を有し、第2の高誘電体層と第2のSiOx層との界面において形成される第2の界面双極子を有し、第1の界面双極子による双極子モーメントと第2の界面双極子による双極子モーメントとの総和としてゼロでない双極子モーメントを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のSiOx層と、 前記第1のSiOx層の上に設けられた第1の高誘電体層と、 前記第1の高誘電体層の上に設けられた第2の高誘電体層と、 前記第2の高誘電体層の上に設けられた第2のSiOx層と、 を備え、 前記第1のSiOx層と前記第1の高誘電体層との界面において形成される第1の界面双極子を有し、 前記第2の高誘電体層と前記第2のSiOx層との界面において形成される第2の界面双極子を有し、 前記第1の界面双極子による双極子モーメントと前記第2の界面双極子による双極子モーメントとの総和としてゼロでない双極子モーメントを有する、薄膜積層構造体。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 31/021

FI (5)：

H01L21/316 M ,  H01L31/04 240 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/316 P

F-Term (13)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF52 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F151DA20 ,  5F151GA04 ,  5F151HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-124635   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-155467   Applicant：富士通セミコンダクター株式会社