Pat
J-GLOBAL ID:201603002762473090
ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八田国際特許業務法人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015147151
Publication number (International publication number):2016028238
Application date: Jul. 24, 2015
Publication date: Feb. 25, 2016
Summary:
【課題】ナノ構造の物理的破壊、化学的破壊、および生物学的破壊に基づくデバイスを提供する。【解決手段】基板53上にナノ構造体であるナノワイヤ51および端子54を有する2つのの電極52からなるデバイスで構成される。ナノ構造体の特性は、その周辺環境(エネルギー、電磁放射線、圧力、磁性など)の変化よって、ナノ構造サイズなどが減少など、その特性に急激な変化が起こるので、端子54を介して分析機器でナノ構造体の特性変化を検知し、その特性変化に基づき、周辺環境変化をモニタリングする。【選択図】図5
Claim (excerpt):
ナノ構造と、
前記ナノ構造の破壊時の前記ナノ構造の特性の変化を測定する手段と、
を含む指示システム。
IPC (5):
G01T 1/02
, A61L 2/06
, A61L 2/07
, A61L 2/14
, A61L 2/20
FI (8):
G01T1/02 B
, A61L2/06
, A61L2/07
, A61L2/14
, A61L2/20
, A61L2/20 102
, A61L2/20 104
, A61L2/20 106
F-Term (11):
4C058AA01
, 4C058BB04
, 4C058BB05
, 4C058BB06
, 4C058BB07
, 4C058DD01
, 4C058DD14
, 4C058JJ13
, 4C058JJ15
, 4C058JJ16
, 4C058KK06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (19)
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センサおよびこの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-233607
Applicant:松下電工株式会社
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Application number:特願2007-311384
Applicant:セイコーインスツル株式会社
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Application number:特願2006-079409
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Application number:特願2005-379637
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Application number:特願2002-211654
Applicant:松下電工株式会社
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Application number:特願2007-045978
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ナノセンサ
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Application number:特願2002-549958
Applicant:プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
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