不純物導入装置、不純物導入方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴木壯兵衞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015169697
Publication number (International publication number)：2017045962
Application date： Aug. 28, 2015
Publication date： Mar. 02, 2017
Summary：

【課題】ワイドバンドギャップ半導体等の、窒素の拡散係数の極めて小さい固体材料であっても、窒素を固体材料の表面に固体材料の固溶濃度(熱力学的平衡濃度)を超える高濃度で導入する。【解決手段】不純物導入装置1が、窒化物膜4を対象物2の表面に成膜する成膜装置10と、光パルスを出射する光源34と、窒化物膜4に光パルスを照射するビーム調整系33と、を備え、窒化物中の窒素を対象物2に導入する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物膜を対象物の表面上に堆積するステップと、前記窒化物膜に光パルスを照射するステップと、を含み、窒化物中の窒素を前記対象物に導入することを特徴とする不純物導入方法。

IPC (1)：

H01L 21/22

FI (1)：

H01L21/22 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコンウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-191269 Applicant：株式会社SUMCO
レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-004897 Applicant：シャープ株式会社
炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-217085 Applicant：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修

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