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J-GLOBAL ID：201703002623527302

PZT強誘電体膜の形成方法

Inventor： 田頭 裕己 ,  志村 礼司郎 ,  高村 禅 ,  李 金望 ,  下田 達也 ,  渡辺 敏昭 ,  曽山 信幸
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (2)： 須田 正義 ,  村澤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016165368
Publication number (International publication number)：2017045992
Application date： Aug. 26, 2016
Publication date： Mar. 02, 2017
Summary：

【課題】PZT前駆体液の1回の塗布で焼成後にクラックのない150nm以上の厚さを有する、結晶性が高く、誘電特性及び圧電特性が良好なPZT強誘電体膜を形成する。【解決手段】PZT強誘電体膜形成用液組成物を塗布する工程と、液組成物を塗布した膜を乾燥する工程と、乾燥した膜に酸素含有雰囲気下150〜200°Cの温度で紫外線照射する工程と、塗布工程と乾燥工程と紫外線照射工程を1回又は2回以上行った後、酸素含有雰囲気下0.5°C/秒以上の速度で昇温するか、又は酸素非含有雰囲気下0.2°C/秒以上の速度で昇温し、400〜500°Cの温度に保持することにより紫外線照射した強誘電体膜前駆体膜を焼成して結晶化させる工程とを含む。液組成物の1回当りの塗布量を、塗布1回当たりの強誘電体膜の厚さが150nm以上になるように設定し、紫外線照射するときにオゾンを供給する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

PZT強誘電体膜形成用液組成物を塗布する工程と、 前記液組成物を塗布した膜を乾燥する工程と、 前記乾燥した膜に酸素含有雰囲気下150〜200°Cの温度で紫外線照射する工程と、 前記塗布工程と前記乾燥工程と前記紫外線照射工程を1回又は2回以上行った後、酸素含有雰囲気下0.5°C/秒以上の速度で昇温するか、又は酸素非含有雰囲気下0.2°C/秒以上の速度で昇温し、400〜500°Cの温度に保持することにより前記紫外線照射した強誘電体膜の前駆体膜を焼成して結晶化させる工程と を含み、 前記液組成物の1回当りの塗布量を、塗布1回当たりの前記強誘電体膜の厚さが150nm以上になるように設定し、前記紫外線照射するときにオゾンを供給するPZT強誘電体膜の形成方法。

IPC (10)：

H01L 21/316 ,  C04B 35/491 ,  C01G 25/00 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/318 ,  H01L 41/43 ,  H01L 41/187 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (8)：

H01L21/316 G ,  C04B35/491 ,  C01G25/00 ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/318 ,  H01L41/43 ,  H01L41/187 ,  H01L27/04 C

F-Term (24)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F083FR00 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• セラミックス膜の製造方法、強誘電体素子及び電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-239488   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 株式会社ADEKA
• 強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-023933   Applicant：松下電子工業株式会社
• 超薄膜の上層を有する積層超格子材料の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-572627   Applicant：シメトリックス・コーポレーション, セイコーエプソン株式会社
• PZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-066421   Applicant：三菱マテリアル株式会社

Cited by examiner (4)

• セラミックス膜の製造方法、強誘電体素子及び電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-239488   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 株式会社ADEKA
• 強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-023933   Applicant：松下電子工業株式会社
• 超薄膜の上層を有する積層超格子材料の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-572627   Applicant：シメトリックス・コーポレーション, セイコーエプソン株式会社
• PZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-066421   Applicant：三菱マテリアル株式会社