Pat

J-GLOBAL ID：201703007160662819

ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置

Inventor： 山内 和人 ,  礒橋 藍 ,  佐野 泰久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  東邦エンジニアリング株式会社
Agent (5)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由 ,  中川 正人 ,  柳野 隆生
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014049071
Publication number (International publication number)：2015173216
Patent number：6206847
Application date： Mar. 12, 2014
Publication date： Oct. 01, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 SiC、GaN、AlGaN、AlNの単結晶を被加工物とし、該被加工物の表面を砥粒や研磨剤を用いずに平坦化加工又は任意曲面に加工する加工方法であって、 被加工物の直接的な加水分解、あるいは被加工物表面の酸化膜の加水分解を促進する機能を備えた触媒物質を加工基準面として用い、水の存在下で、前記被加工物と加工基準面とを所定圧力で接触若しくは極接近させて配し、前記加工基準面の電位を、酸素発生電位を基準として±1Vの範囲に設定して触媒表面に酸素が吸着した状態を作り、前記被加工物と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によって被加工物表面の直接的な加水分解あるいは被加工物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を加工基準面に近い表面凸部から優先的に進行させ、分解生成物を除去することを特徴とするワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  C01B 32/956 ( 201 7.01) ,  C01B 21/06 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/306 M ,  C01B 32/956 ,  C01B 21/06 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 平坦化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-271384   Applicant：株式会社荏原製作所
• 研磨方法及び研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-277942   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328287   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328331   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328515   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Atomically Smooth Gallium Nitride Surfaces Prepared by Chemical Etching with Platinum Catalyst in Wa
• Planarization of SiC and GaN Wafers Using Polishing Technique Utilizing Catalyst Surface Reaction